CdZnTe像素探测器的制备与表征

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作   者：

王闯;  查钢强;  齐阳;  郭榕榕;  王光祺;  介万奇; 

作者机构：

陕西迪泰克新材料有限公司;  西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 

关键词：

CdZnTe;  能量分辨率;  像素探测器; 

期刊名称：

原子能科学技术

基金项目：

深能级陷阱对CdZnTe晶体电学性能及辐射探测器性能的影响
探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法

i s s n：

1000-6931

年卷期：

2015 年 07 期

页   码：

1320-1324

摘   要：

本文采用CdZnTe单晶制成像素探测器,并对其能谱响应特性及均匀性进行了系统表征。通过I-V和能谱响应测试,测定了晶体的电阻率和载流子迁移率与寿命的积,并用红外透过显微成像观察了晶体内Te夹杂的分布特性。采用光刻、剥离和真空蒸镀技术,在CdZnTe晶片上制备了8×8的像素电极,用丝网印刷和贴片技术通过导电银胶实现像素电极与读出电路的准确连接,制备出CdZnTe像素探测器。对像素探测器的测试表明,-300V下单像素最大漏电流小于0.7nA,对241 Am 59.5keV的能量分辨率可达5.6%,优于平面探测器。进一步分析了晶体内Te夹杂等缺陷对探测器漏电流和能谱响应特性的影响规律,结果表明,Te夹杂的聚集会显著增加漏电流,并降低探测器的能量分辨率。