光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管

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作   者：

尹顺政;  齐利芳;  赵永林;  张豫黔;  车向辉;  张宇; 

作者机构：

中国电子科技集团公司第十三研究所; 

关键词：

吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构的雪崩二极管(SAGCM APD);  光通信;  本地电场模型;  InP;  雪崩; 

期刊名称：

半导体技术

i s s n：

1003-353X

年卷期：

2016 年 10 期

页   码：

759-763

摘   要：

针对InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的(SAGCM)APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通电压、击穿电压、倍增因子等特性的影响,实验结果与模拟结果相吻合,表明此方法可以用于器件的结构设计优化及特性分析。在此方法指导下,制作出了SAGCM APD。测试结果表明器件穿通电压小于30V,击穿电压小于45V,在倍增因子为1时,器件响应度大于0.9A/W,在倍增因子为10时,器件暗电流小于10nA,在倍增因子为5~12时,-3dB带宽均大于3GHz,其性能满足2.5Gbit/s光纤通信应用要求。