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一种低功耗、抗软错误的TCAM系统设计

作   者:
张建伟潘阿成郑善兴丁秋红腾飞陈晓明苗延楠
作者机构:
大连理工大学电子科学与技术学院
关键词:
抗软错误低功耗刷新TCAM
期刊名称:
微电子学与计算机
基金项目:
介电泳原位生长一维纳米结构金属氧化物的气敏性能研究
硅基纳米多级复合结构集成气体传感器
基于Y-型沸石的新型敏感材料对生化战剂的感应性能的研究
i s s n:
1000-7180
年卷期:
2015 年 06 期
页   码:
10-14+21
摘   要:
为了改善TCAM在深亚微米时代严重的软错误现象以及加固所带来的高功耗问题,改进了一种基于刷新机制的TCAM结构.通过级联式NAND型TCAM匹配线降低系统功耗,左右半区分工模式的双汉明编码和译码纠错电路确保系统可以对部分两位翻转进行纠错,三管DRAM的引入大大降低了由汉明码纠错带来的复杂时序.仿真结果表明,该结构对所有一位软错误有极强的免疫力,对部分两位软错误有纠错能力.与加固前相比,搜索功耗只增加了29.8%,写入速度和搜索速度基本没受影响.该结构极大地增强了低功耗TCAM的抗软错误能力.
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