AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术

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作   者：

王嘉彬;  陈红梅;  袁超; 

作者机构：

湖南人文科技学院精细陶瓷与粉体材料湖南省重点实验室; 

关键词：

PVT法;  AlN晶体;  坩埚材料; 

期刊名称：

材料导报

i s s n：

1005-023X

年卷期：

2021 年 0S2 期

页   码：

118-120,137

摘   要：

宽禁带半导体材料氮化铝（AlN）具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料。物理气相传输（PVT）法作为被广泛采用的AlN晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻。耐高温、抗腐蚀、长寿命坩埚已成为大尺寸、高质量AlN晶体生长的技术难题之一。本文介绍AlN晶体PVT法生长的基本原理与过程,分析晶体生长对坩埚材料的性能要求,重点综述了TaC坩埚和TaC涂层石墨坩埚的制备技术。