一种高精度低输出电压的带隙基准

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作   者：

居水荣;  朱晓宇;  刘锡锋;  石径; 

作者机构：

江苏信息职业技术学院;  中国电子科技集团公司第58研究所; 

关键词：

带隙基准源;  电源抑制比;  高阶温度补偿;  分段二次补偿;  熔丝调节; 

期刊名称：

微电子学

基金项目：

i s s n：

1004-3365

年卷期：

2018 年 02 期

页   码：

167-172

摘   要：

分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准。在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构。分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果。针对电流模式带隙基准中的线性补偿电阻,设计了熔丝调节结构。将该带隙基准应用在基于CSMC 0.18μm CMOS工艺的16位高精度数模转换器中。测试结果表明,该带隙基准的输出电压为900mV。在-40℃~125℃温度范围内,温度系数低至3×10~(-6)/℃。低频时,电源抑制比达-109dB。