一种改进型4H-SiC超结UMOS器件

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作   者：

张跃;  黄润华;  柏松; 

作者机构：

南京电子器件研究所宽禁带功率半导体器件国家重点实验室; 

关键词：

UMOS;  4H-SiC;  超结; 

期刊名称：

电源学报

i s s n：

2095-2805

年卷期：

2024 年 22 卷 0z1 期

页   码：

254-260

摘   要：

介绍了1种改进型4H-SiC超结UMOS器件.该结构引入上下掺杂浓度不同的P柱并采用底部厚氧化层.P柱可以与N漂移层形成超结结构,从而在保持高击穿电压的同时减小比导通电阻,底部厚栅氧化层可以减小栅漏电容.结合实际的MOSFET工艺,通过SRIM仿真给出了离子注入条件,并通过TCAD软件对器件结构参数进行优化仿真,得到了击穿电压为1035 V、比导通电阻为0.886 m?·cm2的超结UMOS器件.