电磁辐射下PR电路分岔分析与Hopf分岔控制

• 全文链接
• 请求原文

作   者：

张莉; 

作者机构：

兰州工业学院基础学科部; 

关键词：

Hamilton能量;  忆阻器;  Hopf分岔;  鞍结分岔;  Washout分岔控制; 

期刊名称：

河北师范大学学报(自然科学版)

i s s n：

1000-5854

年卷期：

2024 年 48 卷 002 期

页   码：

119-128

摘   要：

电磁辐射对各种非线性系统振荡电路有着重要的影响,但是目前还无法精确给出磁场对振荡电路的影响关系式.根据电学基本定律,通过引入磁控忆阻器建立了电磁辐射下PR振荡电路模型,基于理论分析与数值模拟相结合的方法,研究了新模型的平衡点分布与分岔动力学行为,结果表明,所建立的电路模型存在多值平衡区域,有着丰富的Hopf分岔行为,通过计算第一Lyapunov系数判别相应的分岔类型.同时基于Washout滤波器研究了Hopf分岔类型的控制,并与数值模拟相结合验证了上述的理论分析结果,从而揭示电磁辐射下PR振荡电路有着丰富的动力学行为.