一种单层g-C3N4荧光传感器的制备及其应用
- 专利权人:
- 华南师范大学
- 发明人:
- 曹玉娟,王颂,吴威
- 申请号:
- CN201510449480.4
- 公开号:
- CN105067579A
- 申请日:
- 2015.07.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 华辉
- 摘要:
- 本发明属于材料科学与工程和现代光学传感技术领域,涉及一种基于类石墨烯的单层碳氮化合物(g-C3N4)荧光传感器的制备方法及其应用。步骤如下:以二氰二胺为原料,采用程序升温煅烧法制备块状固体g-C3N4粉末;然后采用液体去角质超声剥离法将g-C3N4块状固体制备为高度水分散的单层g-C3N4胶体,即为所述单层g-C3N4荧光传感器。本发明的单层g-C3N4胶体具有良好的荧光性能和稳定性,表现出明显的丁达尔现象和蓝色荧光特性,该传感器对银离子具有选择性响应,适用于生物、食品、环境等复杂样品中痕量银离子的分析检测。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心