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粒子射线治疗装置
专利权人:
三菱电机株式会社
发明人:
本田泰三,原田久,蒲越虎,山本雄一,岩田高明
申请号:
CN201080062466.4
公开号:
CN102740929B
申请日:
2010.01.28
申请国别(地区):
CN
年份:
2015
代理人:
摘要:
本发明的目的在于获得可降低扫描电磁铁的磁滞影响且可实现高精度射束照射的粒子射线治疗装置。其包括:照射管理装置(32),该照射管理装置(32)基于带电粒子束(1b)的目标照射位置坐标(Pi)来控制扫描电磁铁(3);及位置监视器(7),该位置监视器(7)测定带电粒子束(1b)的测定位置坐标(Ps),照射管理装置(32)包括指令值生成器(25),该指令值生成器(25)基于校正数据(Ia)和目标照射位置坐标(Pi)来将控制输入(Io(Ir))输出到扫描电磁铁(3),上述校正数据(Ia)是基于测定位置坐标(Ps)及目标照射位置坐标(Pi)而生成的,上述测定位置坐标(Ps)是扫描电磁铁的励磁图案与正式照射的计划相同的预备照射中,由位置监视器(7)测定的。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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