研磨装置およびそれを用いたＧａＮ基板の研磨加工方法

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专利权人:

株式会社岡本工作機械製作所

发明人:

伊東 利洋,山本 栄一,久保 富美夫

申请号：

JP20150226429

公开号：

JP2017098322(A)

申请日:

2015.11.19

申请国别(地区):

日本

年份:

2017

代理人:

摘要：

【課題】０．１ｎｍＲａのＧａＮ基板を高い研磨速度でＣＭＰ研磨加工する方法を提供する。【解決手段】ＧａＮ基板６を保持する基板ホルダー３に保持された基板面と、研磨定盤２のエンジニアプラスチック製研磨材２ａ面の回転摺擦によるＧａＮ基板面の研磨加工を、この研磨加工中に前記研磨定盤下方に設置した紫外線照射光源４より紫外線を前記研磨材に向けて照射し続けるとともに、研磨剤スラリー溶液供給ノズル５よりカセイカリおよび水素ガスを純水に溶解させたスラリー溶液に砥粒を分散させたｐＨ１０〜１３．５のアルカリ水素水研磨剤スラリー溶液を前記エンジニアプラスチック製研磨材上に供給することにより前記エンジニアプラスチック製研磨材面とＧａＮ基板面間に前記紫外線活性化された研磨剤スラリー溶液を流布させる。【選

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/