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一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法
- 专利权人:
- 哈尔滨工业大学（威海）
- 发明人:
- 曹立新,李小龙,梁晨希,王凯,刘海萍
- 申请号：
- CN201610263224.0
- 公开号：
- CN105929153B
- 申请日:
- 2016.04.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 王元生
- 摘要：
- 本发明涉及一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米管阵列主体，在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米柱阵列底片，组装制成金纳米井阵列电极；在金纳米管阵列电极表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金纳米井阵列电极；而后放入无标记AFB1抗体溶液中，制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极；进而封闭得到AFB1免疫反应电极。本发明制作简单，具有三维结构，表面积大，有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰；抗体固定牢固有效，性能稳定可靠，可实现AFB1的灵敏快速测定。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
