高生长速率的P型GaN结构LED制造方法
- 专利权人:
- 合肥彩虹蓝光科技有限公司
- 发明人:
- 郭丽彬,李刚
- 申请号：
- CN201210241934.5
- 公开号：
- CN102769078A
- 申请日:
- 2012.07.13
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种高生长速率的P型GaN结构LED的制造方法，所述方法包括以下步骤：在反应室中加热衬底，然后降温生长低温GaN缓冲层，然后升温生长高温GaN缓冲层；在所述缓冲层上，生长N型GaN层；在N型GaN层上生长2至10个InGaN/GaN量子阱，接着生长3至15个InGaN/GaN量子阱；在量子阱层上生长P型GaN层。本发明通过借助高生长速率生长P型GaN层，减少生长时间，其LED结构能够减少In的挥发，并且减少对临近周期InGaN的破坏，从而有效减少对发光层多量子阱结构的伤害，提高量子阱晶体质量，提高出光效率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
