This method for manufacturing a metal lattice comprises: forming a recess on a principal surface of a silicon substrate forming a first insulating layer on the surface at the side at which the recess has been formed removing the first insulating layer formed at the bottom part of the recess and filling the recess with a metal by electroforming. In the present invention, an opening portion communicating to the exterior is formed on part of a wall part of the recess, and a silicon substrate surface is exposed at the outside of the opening portion. Before the recess is filled with the metal, a second insulating layer is formed on the silicon substrate surface at the outside of the opening portion. Therefore, according to this method for manufacturing a metal lattice, it is possible to improve circulation of the plating solution in electroforming, and improve the rate of growth of the metal. The present invention also provides a metal lattice manufactured according to this manufacturing method, and an X-ray imaging device in which this metal lattice is used. The present invention also provides an intermediate product for a metal lattice, obtained prior to the recess being filled with the metal.La présente invention concerne un procédé pour fabriquer un réseau métallique qui comprend : la formation dun évidement sur une surface principale dun substrat de silicium la formation dune première couche isolante sur la surface au niveau du côté sur lequel lévidement a été formé lélimination de la première couche isolante formée au niveau de la partie inférieure de lévidement et le remplissage de lévidement avec un métal par électroformage. Dans la présente invention, une partie douverture communiquant avec lextérieur est formée sur une partie dune partie de paroi de lévidement, et une surface de substrat en silicium est exposée à lextérieur de la partie douverture. Avant que lévidement soit rempli avec le métal, une deuxième couche isolante est formée sur la surface du subst
