Reactive gas generation system and processing method using reactive gas

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专利权人:

テクノロジーズ，;エルエルシー;ナノガード;ナノガード テクノロジーズ, エルエルシー

发明人:

キーナー ケヴィン エム．,ホックワルト マーク エー．,キーナー ケヴィン エム.,ホックワルト マーク エー.

申请号：

JP2018520174

公开号：

JP2018533405A

申请日:

2016.10.19

申请国别(地区):

JP

年份:

2018

代理人:

摘要：

A method of treating a product or surface with a reactive gas comprises the steps of producing a reactive gas by forming high voltage low temperature plasma (HVCP) from a working gas and transporting the reactive gas at least 5 cm away from the HVCP And then contacting the product or surface with a reactive gas. The HVCP does not contact the product or surface.製品又は表面を反応性ガスで処理する方法は、作動ガスから高電圧低温プラズマ（ＨＶＣＰ）を形成することにより反応性ガスを製造するステップと、ＨＶＣＰから少なくとも５ｃｍ離して反応性ガスを輸送するステップと、次いで、製品又は表面を反応性ガスに接触させるステップとを含む。ＨＶＣＰは、製品又は表面と接触しない。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/