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一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法
- 专利权人:
- 中国科学院南京土壤研究所
- 发明人:
- 朱绪超,梁音,田芷源,王欣
- 申请号：
- CN202110902866.1
- 公开号：
- CN113615466B
- 申请日:
- 2021.08.06
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2023
- 代理人:
- 摘要：
- 一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法，首先，开挖种植坑，所述种植坑选择在崩岗平坦部位；在种植坑的底壁和侧壁喷施W‑OH材料；将脐橙幼苗植入种植坑内，在坑中回填一层土壤，在回填的土上撒施肥料，再回填土壤至与地面齐平，浇定根水；其次，在种植坑土壤表面沿坑沿构建围埂，围埂内边与种植坑边线保持一致，形成埂内相对沉陷区和围埂隆起区，将脐橙幼苗围在中心；在脐橙种植土表围埂内部脐橙幼苗周围覆盖植物枯枝落叶，对覆盖的植物进行压实；对种植坑土表的围埂喷施W‑OH材料，在围埂上土壤入渗层形成固结胶体。该方法能够减慢脐橙根区水肥渗漏，提高脐橙水肥利用率，同时还可减少崩岗区因种植脐橙扰动土壤导致的水土流失。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
