An electrical brain treatment system (20, 70, 90) includes a parenchymal electrode (30, 76, 100), configured to be implanted in direct physical contact with brain parenchyma (50) or meninges (51) of the brain (52)； and a cerebrospinal fluid (CSF) electrode (32, 78, 98), configured to be implanted in a CSF-filled space selected from a ventricular system (54) and a subarachnoid space (144). Control circuitry (34, 80, 102) is electrically coupled to the electrodes, and is configured to clear a substance from the brain parenchyma (50) into the CSF-filled space by applying direct current between the parenchymal electrode (30, 76, 100) and the CSF electrode (32, 78, 98) as a series of pulses, with an average amplitude of between 0.25 and 0.5 mA, an average pulse width of between 0.5 and 2 ms, and an average frequency of between 1 and 5 Hz. Other embodiments are also described.L'invention concerne un système de traitement électrique du cerveau (20, 70, 90) qui comprend une électrode parenchymateuse (30, 76, 100), configurée pour être implantée en contact physique direct avec le parenchyme cérébral (50) ou des méninges (51) du cerveau (52)； et une électrode de liquide céphalo-rachidien (CSF) (32, 78, 98), configurée pour être implantée dans un espace rempli de CSF choisi parmi un système ventriculaire (54) et un espace sous-arachnoïdien (144). Des circuits de commande (34, 80, 102) sont couplés électriquement aux électrodes, et sont configurés pour éliminer une substance du parenchyme cérébral (50) dans l'espace rempli de CSF par application d'un courant continu entre l'électrode parenchymateuse (30, 76, 100) et l'électrode de CSF (32, 78, 98) en tant que série d'impulsions, avec une amplitude moyenne comprise entre 0,25 et 0,5 mA, une largeur d'impulsion moyenne comprise entre 0,5 et 2 ms, et une fréquence moyenne comprise entre 1 et 5 Hz. L'invention décrit également d'autres modes de réalisation.
