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一种勋章菊高效快速育苗方法
专利权人:
苏州大学
发明人:
陆小平,王波,李叶峰,杨苏平,王谨,李强,徐建峰,盛亚丹,王宁,王彩晨,王永忠,皇甫兴成
申请号:
CN201110020542.1
公开号:
CN102144486B
申请日:
2011.01.18
申请国别(地区):
中国
年份:
2012
代理人:
陶海锋
摘要:
本发明公开了一种勋章菊高效快速育苗方法。在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝,剪成插穗,每个插穗保留2~5片叶;在渗水性好的框篮或扦插池内中装入厚度为5cm以上的基质并使其充分湿润;将插穗以3~4cm的深度、4~5cm/株的密度插入基质中,用稀释浓度为500~800倍的多菌灵杀菌剂溶液喷洒后移入全日照喷雾装置下任其发根生长;2~3周后移栽于假植钵或泥盆,6周后,即可移入花台建植或地栽,而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。本发明提供的勋章菊育苗方法操作简便,成活率高,育苗期短,培苗成本低;菊苗不仅可以高密度扦插,而且不受季节限制进行室内周年扦插,具有推广应用的前景。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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