Layer carbon nanotubes having a low energy of light emission of about 300 meV and a method of manufacturing the same. By employing a method of directly irradiating ultraviolet light to a semiconductor single-walled carbon nanotube in the air, ozone Layer carbon nanotubes in which grams of oxygen atoms are introduced into the semiconductor single-walled carbon nanotubes to obtain a semiconductor single-walled carbon nanotube whose emission energy is reduced to about 300 meV.발광 에너지가 약 300meV 저에너지화한 반도체 단층 카본 나노 튜브 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로하며, 대기 중에서 반도체 단층 카본 나노 튜브에 직접 자외광을 조사하는 방법을 채용하는 것에 의해, 대기 중에 오존을 발생시켜 반도체 단층 카본 나노 튜브에 그램량의 산소 원자를 도입시켜, 발광 에너지가 약 300meV 저에너지화한 반도체 단층 카본 나노 튜브를 얻는다.
