一种功能化宽幅植入式微电极阵列及其制备方法与应用
- 专利权人:
- 深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 杜学敏,王娟
- 申请号：
- CN201811447629.5
- 公开号：
- CN109350846A
- 申请日:
- 2018.29.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种功能化宽幅植入式微电极阵列及其制备方法与应用。该功能化宽幅微电极阵列包括依次设置的功能层、基底层、导电层、绝缘层;所述功能层为单分子层、高分子材料层和/或高分子复合物层,厚度为1nm‑1000μm。本发明还提供了上述功能化宽幅植入式微电极阵列的制备方法。本发明的功能化宽幅微电极阵列通过增大微电极尺寸,能够有效调节微电极位点、线路、间距等相关参数,从而降低微电极微加工过程中的工艺复杂程度,极大提高高成本微电极阵列的良品率,解决高密度微电极阵列的设计难题;通过功能化宽幅设计,能够实现微电极阵列折叠或卷曲功能,从而实现微创植入,极大降低手术风险。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
