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MEMS SWITCHING CIRCUIT FOR AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE
专利权人:
发明人:
申请号:
EP04796558.7
公开号:
EP1697956B1
申请日:
2004.10.27
申请国别(地区):
EP
年份:
2014
代理人:
摘要:
A bistable MEMS switch for use in selectively opening or closing electrical circuits included in an implantable medical device system is provided. The switch includes central movable beam having a movable contact a suspension system for supporting the movable beam and generating a contact force an actuator for displacing the beam upon application of an activation signal, and a fixed contact for interfacing the movable contact when the switch is in a closed state. The switch is fabricated from a Si/SiO2/Si wafer using photolithography, DRIE and sacrificial oxide etching followed by metalization of electrical contact points with a wear-resistant metal or alloy. An actuation layer may be fabricated from the silicon substrate layer of the wafer and the signal layer may be fabricated from the top silicon layer. The actuation layer and signal layer are thereby electrically decoupled and mechanically coupled by the intervening SiO2 layer.Linvention concerne un commutateur MEMS pour louverture ou la fermeture sélective de circuits équipant un dispositif médical implantable. Le commutateur comprend une poutre centrale mobile à contact mobile un système de suspension soutenant la poutre et induisant une force de contact un actionneur déplaçant la poutre sur application de signal dactivation, et un contact fixe dinterface avec le contact mobile lorsque le commutateur est à létat fermé. Le commutateur est à base de plaquette Si/SiO2/Si, réalisé en photolithographie, attaque ionique réactive profonde et attaque doxyde sacrificiel, puis métallisation de points de contact électrique avec un métal ou alliage résistant à lusure. Une couche dactivation peut être réalisée à partir de la couche substrat en silicium de la plaquette et la couche de signal peut être réalisée à partir de la couche supérieure en silicium. Ces deux couches sont ainsi découplées électriquement et couplées mécaniquement par la couche SiO2 intermédiaire.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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