改善された降伏電圧とカットオフ周波数との積を有するＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラトランジスタ

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专利权人:

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社;テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

发明人:

ジェフェリー エイ バブコック,アレクセイ サドヴニコフ

申请号：

JP20150501948

公开号：

JP6259809(B2)

申请日:

2013.03.25

申请国别(地区):

日本

年份:

2018

代理人:

摘要：

The product of the breakdown voltage (BVCEO) and the cutoff frequency (fT) of a SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) is increased beyond the Johnson limit by utilizing a doped region with a hollow core that extends down from the base to the heavily-doped buried collector region. The doped region and the buried collector region have opposite dopant types.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/