一种氮化硼块体陶瓷及其制备方法
- 专利权人:
- 中国人民解放军国防科学技术大学
- 发明人:
- 邹春荣,李斌,张长瑞,王思青
- 申请号：
- CN201510383204.2
- 公开号：
- CN104944961A
- 申请日:
- 2015.07.03
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 张慧`宁星耀
- 摘要：
- 一种氮化硼块体陶瓷及其制备方法，所述氮化硼块体陶瓷，全部由硼吖嗪及其聚合物转化而来，不含杂质元素，陶瓷的纯度＞99.9%，致密度＞92%，热导率为2.86～4.56
，介电常数为3.6～4.4。其制备方法，包括以下步骤：（1）先驱体聚合物粉体的成型；（2）骨架烧成；（3）先驱体浸渍与交联固化；（4）陶瓷裂解转化；（5）重复步骤（3）和步骤（4）浸渍裂解循环0－5次，即得。本发明具有工艺可控，操作简单，易成型等特点，所制备的氮化硼陶瓷具有高纯度、高致密和良好的热学及介电性能，可用于制备高精度的电子器件和航天透波部件。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
