一种氮化硼块体陶瓷及其制备方法
- 专利权人:
- 中国人民解放军国防科学技术大学
- 发明人:
- 邹春荣,李斌,张长瑞,王思青
- 申请号:
- CN201510383204.2
- 公开号:
- CN104944961A
- 申请日:
- 2015.07.03
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 张慧`宁星耀
- 摘要:
- 一种氮化硼块体陶瓷及其制备方法,所述氮化硼块体陶瓷,全部由硼吖嗪及其聚合物转化而来,不含杂质元素,陶瓷的纯度>99.9%,致密度>92%,热导率为2.86~4.56
,介电常数为3.6~4.4。其制备方法,包括以下步骤:(1)先驱体聚合物粉体的成型;(2)骨架烧成;(3)先驱体浸渍与交联固化;(4)陶瓷裂解转化;(5)重复步骤(3)和步骤(4)浸渍裂解循环0-5次,即得。本发明具有工艺可控,操作简单,易成型等特点,所制备的氮化硼陶瓷具有高纯度、高致密和良好的热学及介电性能,可用于制备高精度的电子器件和航天透波部件。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心