一种基于介孔花状氧化锡复合材料的光电化学N端前脑钠肽传感器的制备方法及应用

• 收藏
• 分享

专利权人:

济南大学

发明人:

范大伟,鲍春竹,刘昕,张勇,马洪敏,吴丹,王欢,魏琴,杜斌,胡丽华

申请号：

CN201810688980.7

公开号：

CN109060904A

申请日:

2018.06.28

申请国别(地区):

中国

年份:

2018

代理人:

高强

摘要：

本发明涉及一种基于介孔花状氧化锡复合材料的光电化学N端前脑钠肽传感器的制备方法及应用，属于光电化学传感器领域。通过水热法合成的新颖的花状SnO₂，其介孔结构使其具备更好的存储空间，更大的比表面积和较高的表面活性有利于尺寸较小的纳米粒子在其表面生长，用氮掺杂的碳量子点NCQDs来敏化SnO₂，增强其可见光吸收，再原位生长Bi₂S₃纳米粒子，得到光电活性显著提高的介孔花状氧化锡复合材料SnO₂/NCQDs/Bi₂S₃，通过层层自组装方法，将N端前脑钠肽抗体、牛血清白蛋白和N端前脑钠肽抗原组装到SnO₂/NCQDs/Bi₂S₃复合材料上，利用SnO₂/NCQDs/Bi₂S₃优异的光电活性以及N端前脑钠肽抗原抗体之间的特异性结合，实现对N端前脑钠肽的超灵敏检测，这对N端前脑钠肽的分

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/