イオン注入システム中のイオン源の寿命および性能を向上させる方法および装置

• 收藏
• 分享

专利权人:

インテグリス・インコーポレーテッド

发明人:

カイム，ロバート,スウィーニー，ジョセフ，ディー．,アヴィラ，アンソニー，エム．,レイ，リチャード，エス．

申请号：

JP20160055370

公开号：

JP6258384(B2)

申请日:

2016.03.18

申请国别(地区):

日本

年份:

2018

代理人:

摘要：

An ion implantation system and process, in which the performance and lifetime of the ion source of the ion implantation system are enhanced, by utilizing isotopically enriched dopant materials, or by utilizing dopant materials with supplemental gas(es) effective to provide such enhancement.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/