非化学増幅型レジスト組成物、非化学増幅型レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
- 专利权人:
- 富士フイルム株式会社
- 发明人:
- 平野 修史
- 申请号：
- JP20160546410
- 公开号：
- JPWO2016035555(A1)
- 申请日:
- 2015.08.19
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 孤立ラインパターン又は孤立スペースパターンにおける解像力に優れた非化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いた非化学増幅型レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。上記非化学増幅型レジスト組成物は、金属塩構造を有する樹脂（Ａｂ）を含有する。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
