高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置
- 专利权人:
- 苏州汉纳材料科技有限公司
- 发明人:
- 陈新江
- 申请号：
- CN201210539154.9
- 公开号：
- CN102994980B
- 申请日:
- 2012.12.13
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 王锋
- 摘要：
- 本发明提供了一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置。本发明是利用浮动催化裂解法在高温下制备碳纳米管气溶胶，并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内，以及，在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底，并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝，并定向沉积到基底上，形成高导电碳纳米管薄膜。本发明可以实现高性能碳纳米管薄膜的大面积、连续、低成本、高效的制备，并且在基材透光率约92%的情况下，所述高导电碳纳米管薄膜的透光率可高达88%，面阻可低至100Ω/□。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
