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硼酸基修饰的负电荷碳点在制备抗革兰氏阴性菌药物中的应用
- 专利权人:
- 陕西师范大学
- 发明人:
- 刘梅,马玥,孙兆萌
- 申请号：
- CN202210284146.8
- 公开号：
- CN114681484A
- 申请日:
- 2022.03.22
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2022
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种硼酸基修饰的负电荷碳点在制备抗革兰氏阴性菌药物中的应用，所述硼酸基修饰的负电荷碳点合成方便，与正电荷碳点相比具有更好的生物相容性和低细胞毒性。基于革兰氏阴性菌和革兰氏阳性菌的细胞壁结构不同，硼酸基修饰的负电荷碳点对革兰氏阴性菌表现出更明显的杀菌作用。硼酸基团由于能够与细菌细胞表面糖蛋白的二醇基团形成可逆的共价键，从而明显增强负电荷碳点的抗菌性能，对革兰氏阴性菌的最小杀菌浓度达到了12.5μg/mL；同时，在HeLa细胞中加入250μg/mL抗菌药物培养24h后，细胞活力保持在85％以上。因此本发明方法成功提高了负电荷碳点对于革兰氏阴性菌的杀菌性能并且相较于正电荷碳点具有更低的细胞毒性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
