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主磁场偏移估算方法和系统
专利权人:
深圳先进技术研究院
发明人:
张娜,邹超,刘新,钟耀祖,郑海荣
申请号:
CN201410830839.8
公开号:
CN104545917A
申请日:
2014.12.25
申请国别(地区):
CN
年份:
2015
代理人:
摘要:
本发明涉及一种主磁场强度偏移估算方法和系统。所述方法包括以下步骤:发射步骤,施加一组等间隔频率的射频脉冲进行激发;采集步骤,采集在一组等间隔频率射频脉冲激发下的一组图像;绘制步骤,根据所述一组图像得到每个像素点的直接水饱和曲线;插值步骤,对所述直接水饱和曲线进行插值得到修正后的直接水饱和曲线;中心频率求取步骤,求取修正后的直接水饱和曲线的中心点频率;偏移计算步骤,将求取的中心点频率和指定的中心点频率相减得到主磁场强度的偏移量。上述主磁场强度偏移估算方法和系统,不需要处理相位时间和空间解卷绕问题,降低了计算的复杂度,且提高了计算精度。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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