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一种滇橄榄的栽培方法
专利权人:
宾川佳泓园艺有限责任公司
发明人:
曾文,黄文英
申请号:
CN201510724607.9
公开号:
CN105248102A
申请日:
2015.10.30
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
曾少丽
摘要:
本发明提出了一种滇橄榄的栽培方法,包括以下步骤:1)种植地选择;2)种植地初垦与复垦:按照山坡的等高线将坡地以300cm间距直接开挖带状的定植沟,定植沟深度控制在100-120cm,将周围的杂草就近均匀散落在定植沟里,然后进行复垦,复垦深度控制在90-100cm,复垦时让土壤将杂草全部掩盖;3)整理定植沟:定植沟经过一段时间的风化后进行施肥回土,并施入少量生石灰、鸡粪、猪粪、生物肥菌液并与土杂肥混匀,上层回填表土使整个定植沟为一平面即可;4)滇橄榄苗移栽;5)幼年树的管理;6)结果树的管理。该栽培方法通过对种植地的台面进行2次垦地有效地去除了杂草,并且将杂草作为有机肥利用,减少了化肥的使用量。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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