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离体培养除虫菊再生植株的方法及专用培养基
- 专利权人:
- 华中农业大学
- 发明人:
- 王彩云,孔令芳,毛静,李振芳,李杰,曹丽园,李雅菲,邢梅
- 申请号：
- CN200910087604.3
- 公开号：
- CN101578959A
- 申请日:
- 2009.06.24
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2009
- 代理人:
- 张红兵
- 摘要：
- 本发明属于植物组织培养技术领域，具体涉及一种离体培养除虫菊再生植株的方法及专用培养基。本发明的步骤如下：A.取除虫菊的种子，经灭菌和无菌离体培养得到无菌苗，选4个不同单株的无菌苗在MS基本培养基中继代培养；B.无菌苗继代培养了30d后，切取顶端幼嫩的叶片作为外植体，将其中脉划两刀后近轴面朝上接种于MS基本培养基+2.0mg/L6-BA+0.2mg/L IBA和2.0mg/L AgNO3的专用培养基上，先暗培养再光照培养，大约30天左右获得再生芽；C.将再生芽转移至MS基本培养基中作继代培养得到完整植株。本发明取材不受季节限制，方法简便，再生周期短，除虫菊的植株再生频率为92％-96％。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
