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一种基于参考电极的脑电坏导插值方法
- 专利权人:
- 电子科技大学
- 发明人:
- 董立,张昱帆,赵铃铃,郑婷,李建福,尧德中
- 申请号：
- CN202010444340.9
- 公开号：
- CN111513711A
- 申请日:
- 2020.05.22
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于参考电极的脑电坏导插值方法，包括以下重建步骤；S1：利用脑电采集系统得到原始分布坐标和原始脑电信号；S2：剔除异常导联，得到剔除坏导后头表电极的分布坐标；S3：计算剔除异常导联后电信号的平均矩阵；S4：根据剔除坏导后分布坐标、头模型和等效分布源模型计算出剔除坏导后导联场矩阵；S5：根据平均矩阵计算出等效分布源，计算出广义逆矩阵；S6：根据原始分布坐标、头模型和等效分布源模型计算原始导联场矩阵。S7：根据等效分布源和原始导联场矩阵，重建所有头表电极电信号的无穷远矩阵；S8：获取重建后的坏导脑电波形。本发明能够有效减少参考点电位对坏导重建结果的影响。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
