一种薄膜制备方法及相应的二硫化钼薄膜和光电探测器
- 专利权人:
- 北京邮电大学
- 发明人:
- 吴真平,焦雷,王月晖,陈政委,张晓,唐为华
- 申请号：
- CN201810600303.5
- 公开号：
- CN108660416A
- 申请日:
- 2018.06.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 乔东峰
- 摘要：
- 本发明公开了一种薄膜制备方法、MoS2薄膜和光电探测器，所述方法利用激光脉冲轰击靶材，使靶材材料以等离子体的方式溅射出来，进而沉积在衬底表面，并通过原子间作用力相互吸附进而形成薄膜。所述薄膜优选为层状过渡金属二硫族化合物薄膜，特别是MoS2薄膜，通过控制所述激光脉冲的数目对薄膜的层数进行控制。本发明能够制备大面积、厚度可控的MoS2薄膜，利用MoS2薄膜制备的光电探测器具有良好的输出特性，光电响应也十分明显。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
