石斛属培养物的离体保存方法
- 专利权人:
- 中国科学院昆明植物研究所
- 发明人:
- 龙春林,程治英,罗吉凤
- 申请号：
- CN200810058045.9
- 公开号：
- CN101238807B
- 申请日:
- 2008.01.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2010
- 代理人:
- 马晓青
- 摘要：
- 石斛属培养物的离体保存方法，取石斛属培养物即3个不同发育阶段的培养材料也就是由石斛属种子萌发后产生的胚性组织即原球茎或茎尖和茎基部形成的拟原球茎，由原球茎或拟原球茎分化产生的丛芽，由丛芽分化产生的具根和4-5片叶的试管苗，在培养基为1/2MS+NAA1mg.L-1+S2％，温度为15-20℃中进行离体保存。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
