一种富铬甘薯套种凉粉草的栽培方法
- 专利权人:
- 张恩荣
- 发明人:
- 张恩荣
- 申请号：
- CN201510815373.9
- 公开号：
- CN106717722A
- 申请日:
- 2015.11.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 一种富铬甘薯套种凉粉草的栽培方法，先种好甘薯，再种好凉粉草；包括：精选种苗→整理地垄→沤制基肥→种植种苗→追施薯肥。再种好凉粉草。其有益效果：采用本发明种植的甘薯虫害少，口感好，亩增产量10％-20％，提高了经济效益，铬含量达到每公斤200-250ug；同时，凉粉草亩产量达500公斤，做到节省土地，提高了土地利用率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
