一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法
- 专利权人:
- 中国科学院等离子体物理研究所
- 发明人:
- 方世东,孟月东,沈洁,程诚,魏钰,李绪奇,左潇,陈龙威
- 申请号：
- CN201310151062.8
- 公开号：
- CN103563984A
- 申请日:
- 2013.04.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 余成俊
- 摘要：
- 本发明公开了一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法，首先通过浸渍银前驱体，在氧化石墨烯表面负载银离子；再在室温下用中气压氢气冷等离子体射流处理，将银离子还原成银纳米粒子，得到氧化石墨烯/银复合材料。本发明利用等离子体还原前驱物的方法，避免使用对环境有污染的化学试剂，由于在干态下还原，大大减少了贵金属的流失，可以高效制备氧化石墨烯/银复合材料。样品透射电镜图片也证实了银纳米离子均匀分布在氧化石墨烯表面。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
