集落形成培养基及其用途
- 专利权人:
- 洋蓟治疗有限公司
- 发明人:
- I·斯卢克文,G·乌伊尼什,D·黑,D·德里耶
- 申请号：
- CN201780017613.8
- 公开号：
- CN108884441A
- 申请日:
- 2017.03.14
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种用于产生间充质干细胞(MSC)的方法,所述方法包括在含氧量正常的条件下在包含LiCl和FGF2但不包含PDGF的间充质集落形成培养基(M‑CFM)中培养原始中胚层细胞持续足以形成间充质集落的时间,和贴壁培养所述间充质集落以产生所述MSC,其中相对于不在所述M‑CFM中产生的MSC,所述MSC具有卓越的T细胞免疫抑制特性。本发明还涉及通过所述方法产生的MSC,通过所述方法产生的MSC的群体,包含通过所述方法产生的MSC的治疗性组合物,M‑CFM和浓缩形式的M‑CFM,以及所述MSC或群体在治疗疾病中的方法和用途。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
