表面活性剂作用下的单晶硅全晶面刻蚀速率的获取方法
- 专利权人:
- 东南大学
- 发明人:
- 幸研,张辉
- 申请号：
- CN201410803809.8
- 公开号：
- CN104462711A
- 申请日:
- 2014.12.22
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 王斌
- 摘要：
- 公开了一种表面活性剂作用下的单晶硅全晶面刻蚀速率的获取方法，包括：1，获取约束晶面的实验刻蚀速率；2，确定目标参数的取值范围和生成目标参数的优化种群；3，建立表面活性剂作用下的蒙特卡罗S-AEP硅原子移除概率函数并计算目标原子的刻蚀概率；4，计算种群中各个体的约束晶面模拟刻蚀速率；5，选取某一约束晶面作为基准晶面并计算种群中各个体的约束晶面仿真刻蚀速率；6，利用个体适应度评价方法筛选出种群中最优个体；7，判断最优个体的约束晶面仿真刻蚀速率是否满足输出条件，满足则输出最优个体并生成单晶硅全刻蚀速率曲线；不满足则将最优个体编码并遗传变异，生成下一代种群，进入新一轮循环。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
