辐射成像装置及其制造方法
- 专利权人:
- 索尼公司
- 发明人:
- 草山育实,横泽信幸,川西光宏,五十岚崇裕
- 申请号：
- CN201210056210.3
- 公开号：
- CN102683364A
- 申请日:
- 2012.03.01
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及辐射成像装置及其制造方法，提供了一种辐射成像装置，其包括：传感器基板，其具有包括光电转换元件的像素部分；闪烁体层，其设置传感器基板的像素部分上；以及密封层，其中利用该密封层密封闪烁体层的至少一部分，其中密封层包括远离闪烁体层、布置在传感器基板上的第一壁部，以及设置在闪烁体层与第一壁部之间的防潮层。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
