纳米丝束的制备方法及纳米丝束脑电极

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专利权人:

深圳市脑潜能实业发展有限公司

发明人:

赵志龙,翟广志,胡志荣,高建军

申请号：

CN201910310513.5

公开号：

CN110051350A

申请日:

2019.17.04

申请国别(地区):

CN

年份:

2019

代理人:

摘要：

本发明提供了一种纳米丝束的制备方法及纳米丝脑电极,该方法采用对共晶母合金做定向凝固处理,再结合选择性腐蚀获得纳米丝束,最后将附有纳米丝束的合金薄片焊接于电极片从而获得纳米丝脑电极。本发明的有益效果在于:提供了一种纳米丝束脑电极的制备方法,该制备工艺基于机械强度高、阻抗小,成本低的Ag‑Sn共晶合金,采用定向凝固结合选择性腐蚀的方法制成,进而可制备脑电信号采集用电极,该工艺简单、结构可控、成品率高,制成的纳米丝具有高长径比,组织形貌可控,具备优异的导电性、低的表面电阻和良好的生物相容性。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/