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单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体
专利权人:
中国科学院高能物理研究所
发明人:
尹文艳,谷战军,赵宇亮
申请号:
CN201310741623.X
公开号:
CN103705928B
申请日:
2013.12.27
申请国别(地区):
CN
年份:
2015
代理人:
摘要:
本发明涉及一种单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体。其中所述制备方法包括:步骤1:取MoS2与浓硫酸,混合,水浴搅拌;之后离心去除浓硫酸,将沉淀离心水洗;步骤2:取步骤1处理后所得的MoS2,加入去离子水,在超声条件下,滴加壳聚糖溶液,得混合溶液,超声;步骤3:将完成步骤2后的混合溶液用超声细胞破碎仪破碎,离心处理后收集未沉淀的溶液,再次离心处理后得沉淀,水洗,即得单层MoS2纳米片。本发明提供的技术方案方法简单易行,绿色环保,价格低廉,制备单层MoS2纳米片具有可控的尺寸、产率高且具有高的载药量,有利于定时、定量光控释放药物,在生物医学领域的肿瘤治疗等方面有潜在应用价值。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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