含羞草的繁殖方法
- 专利权人:
- 华南师范大学
- 发明人:
- 陈刚,李玲
- 申请号：
- CN200410051960.7
- 公开号：
- CN1288961C
- 申请日:
- 2004.10.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2006
- 代理人:
- 王楚鸿
- 摘要：
- 含羞草的繁殖方法，它在现有技术五步骤——(1)外植体消毒,(2)萌发无菌苗,(3)诱导愈伤组织,(4)诱导不定芽发生和(5)培养生根的基础上对步骤(3)～(5)进行改进：步骤(3)采用MS+2mg/L2，4-D+0.2mg/L 6-BA培养基；步骤(4)采用MS+1.0-2.0mg/L 6-BA+0-0.5mg/L TDZ培养基或者B5+1.0-2.0mg/L 6-BA+0-0.5mg/L TDZ培养基；步骤(5)采用B5+2mg/L IAA、1/2MS+0.5-2mg/L IBA、或者1/2MS+0.5-2mg/L NAA培养基。本方法能明显提高含羞草的无性繁殖系数，且操作简便。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
