一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法及应用

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专利权人:

江苏大学

发明人:

刘燕,仇建,胡肖,倪良,刘占超

申请号：

CN201710465106.2

公开号：

CN107384367A

申请日:

2017.06.19

申请国别(地区):

中国

年份:

2017

代理人:

摘要：

本发明属于功能材料制备技术领域，以SiO₂@ZnO QDs为荧光基质材料，利用自由基聚合方法合成多孔硅表面分子印迹荧光传感器。本发明利用凝胶溶胶法将ZnO QDs封装到多孔SiO₂中，不仅解决量子点稳定性问题，提高量子点使用寿命；还通过加入致孔剂制备多孔SiO₂，解决量子点包埋过深，增加比表面积，拓宽其使用范围。与表面分子印迹技术结合，提高荧光传感器对待检测物质的识别能力和响应速度，为快速、选择性识别检测乳制品中痕量三聚氰胺奠定坚实的理论和实践基础。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/