磁共振成像装置及其制造方法

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专利权人:

三星电子株式会社

发明人:

权五洙,朴东瑾,郭俊硕

申请号：

CN201480044608.2

公开号：

CN105473068A

申请日:

2014.08.13

申请国别(地区):

CN

年份:

2016

代理人:

摘要：

一种MRI装置包括：主磁体，在空腔中形成静态磁场；梯度线圈组件，在所述静态磁场中形成磁场梯度并包括以预定间隔布置在所述梯度线圈组件中的多个垫片托盘以及被设置在所述垫片托盘之间的至少一个第一垫片牌。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/