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超音波送受信デバイス及びそれを用いた超音波探触子
专利权人:
株式会社日立製作所
发明人:
吉村 保廣,永田 達也
申请号:
JP2007128020
公开号:
JP4958631B2
申请日:
2007.05.14
申请国别(地区):
JP
年份:
2012
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To cut down fatigue rapture and creep deformation by repeated stress in an electrode of a vibrating diaphragm in an ultrasonic search unit comprising a device in which a diaphragm is vibrated by electrostatic driving to generate an ultrasonic wave, on a silicon substrate.SOLUTION: The present invention relates to an ultrasonic transmitting/receiving device, for transmitting/receiving an ultrasonic wave, comprising: a semiconductor substrate a lower electrode provided higher than the semiconductor substrate a gap provided higher than the lower electrode a third insulating film provided on the gap an upper electrode provided higher than the third insulating film a fourth insulating film provided higher than the upper electrode a wiring layer provided on the fourth insulating film and a fifth insulating film provided on the wiring layer, wherein the upper electrode and the wiring layer are electrically connected by through-wiring.COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT【課題】シリコン基板上に静電駆動により膜を振動させて超音波を発生させる素子を備えた超音波探触子における振動膜の電極が繰返し応力による疲労破壊や、クリープ変形を低減すること。【解決手段】超音波を送受信する超音波送受信デバイスにおいて、半導体基板と、前記半導体基板より上に設けられた下部電極と、前記下部電極より上に設けられたギャップと、前記ギャップの上に設けられた第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜よりも上に設けられる上部電極と、前記上部電極よりも上に設けられた第4の絶縁膜と、前記第4の絶縁膜の上に設けられた配線層と、前記配線層の上に設けられた第5の絶縁膜とを備えている超音波送受信デバイス。前記上部電極と前記配線層が、貫通配線で電気的に接続されている。【選択図】図2
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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