植入式磁籽
- 专利权人:
- 财团法人金属工业研究发展中心
- 发明人:
- 蓝毓杰,杨东洁,尤崇智,蔡育贤
- 申请号：
- CN201510856602.1
- 公开号：
- CN106806014A
- 申请日:
- 2015.11.30
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供的一种植入式磁籽，包括外壳区以及内心区。内心区被外壳区包围且包括空洞。外壳区与内心区的至少一个的至少局部区域的相对导磁率(μr)大于2。本发明提供的植入式磁籽，其具有较小的体积仅需小开口便能够植入患部，并且可受外加交变磁场影响而产生热能，藉此热治疗患部的组织。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
