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PATTERN TRIMMING COMPOSITIONS AND METHODS
专利权人:
ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人:
KEVIN ROWELL,CONG LIU,CHENG BAI XU,IRVINDER KAUR,JONG KEUN PARK
申请号:
KR20180123700
公开号:
KR20180116195(A)
申请日:
2018.10.17
申请国别(地区):
韩国
年份:
2018
代理人:
摘要:
포토레지스트 패턴 트리밍 조성물은 0.26 노르말농도의 테트라메틸암모늄 수산화물 수용액에 가용성인 폴리머; 및 용매계를 포함하며, 여기서 용매계는 용매계 기준으로 50 내지 98 중량%의 조합된 양으로 하나 이상의 모노에테르 용매를 포함한다. 상기 조성물은 반도체 소자의 제조에 있어서의 특정 적용가능성이 발견된다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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