用于校正MR成像中的主磁场B0的磁场不均匀性的MR设备
- 专利权人:
- 皇家飞利浦有限公司
- 发明人:
- C·L·G·哈姆
- 申请号：
- CN201280064093.3
- 公开号：
- CN104011557B
- 申请日:
- 2012.12.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种校正MR设备的检查体积中的高阶B0磁场不均匀性的方法。根据本发明，通过多个梯度线圈(4)中的至少一个的两个或两个以上的线圈段(X1，X2)的电流通过如下的方式被独立地控制：使得主磁场B0的高阶场不均匀性由至少一个梯度线圈(4)的磁场来补偿。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
