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improved methods for increasing antibody productivity in mammalian cell culture and minimizing aggregation during downstream processes, formulation processes, and stable antibody formulations obtained from them
专利权人:
SERUM INSTITUTE OF INDIA PRIVATE LIMITED
发明人:
AVALASKAR NIKHIL DATTATRAY,CHOUHAN PANKAJ SINGH,DHERE RAJEEV MHALASAKANT,PEDDI REDDY SRINIVAS REDDY,PISAR SAMBHAJI SHANKAR,SINGH DIGAMBER CHAHAR,YEOLEKAR LEENA RAVINDRA
申请号:
BR112019011900
公开号:
BR112019011900A2
申请日:
2017.12.20
申请国别(地区):
BR
年份:
2019
代理人:
摘要:
The present invention relates to an efficient antibody formulation and production platform that provides: i) cell culture process with improved feeding strategy resulting in high antibody titration between 2 g / l and 5 g / l; ii) improved purification process showing optimum percent recovery, high purity monomer content, minimal particulate aggregation / formation, minimum impurity levels; and iii) high concentration stable liquid formulation with optimum osmolality and low viscosity at different temperatures and without aggregation. Preferred antibodies include dengue virus epitope-specific monoclonal antibody igg1 in protein domain iii and rabies virus surface glycoprotein g-specific monoclonal antibody igg1.a presente invenção refere-se a uma plataforma eficiente para formulação e produção de anticorpos que fornece: i) processo de cultura de células com estratégia melhorada de alimentação resultando em alta titulação de anticorpos entre 2 g/l e 5 g/l; ii) processo de purificação melhorado apresentando recuperação percentual ótima, teor de monômero de alta pureza, agregação/formação de particulado mínimas, níveis mínimos de impurezas; e iii) formulação líquida estável de alta concentração com osmolalidade ótima e baixa viscosidade em diferentes temperaturas e sem agregação. os anticorpos preferidos incluem o anticorpo monoclonal igg1 específico para o epítopo do vírus da dengue no domínio iii da proteína e e o anticorpo monoclonal igg1 específico para a glicoproteína g da superfície do vírus da raiva.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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