一种利用分层施肥种植富硒萝卜的方法
- 专利权人:
- 蔡昌菊
- 发明人:
- 蔡昌菊
- 申请号：
- CN201711322585.9
- 公开号：
- CN107996334A
- 申请日:
- 2017.12.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 李春芳
- 摘要：
- 本发明涉及一种利用分层施肥种植富硒萝卜的方法，包括以下步骤：(1)、选择向阳、排水性能好的土壤，在土壤中挖种植坑，种植坑深2m，宽0.6m，相邻种植坑间距0.2‑0.5m；(2)、在种植坑内填种植；(3)、在每年3‑4月份进行种植，种植深度为8‑12cm，株间距为30cm；(4)、日常管理；本发明提供的富硒萝卜的种植方法采用深挖种植坑，分层施肥的方法进行施肥，由于种植坑中土壤较松软，有利于萝卜向下生长，种植出的萝卜表面光滑、粗细均匀，同时促进萝卜吸收养料的根向下延伸，促进对肥料的吸收，肥料利用率高，在萝卜生长过程中不需要追肥，节省了人力物力，可以大大提高肥料的吸收率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
