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PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR PERMETTRE L'ESTIMATION D'UN POINT INITIAL D'INTERACTION D'UN PHOTON DE RAYONS X DANS UN DÉTECTEUR DE RAYONS X À COMPTAGE DE PHOTONS
专利权人:
PRISMATIC SENSORS AB
发明人:
DANIELSSON, Mats
申请号:
SESE2019/051011
公开号:
WO2020/106198A1
申请日:
2019.10.14
申请国别(地区):
SE
年份:
2020
代理人:
摘要:
There is provided a method for enabling estimation of an initial point of interaction of an x-ray photon in a photon-counting x-ray detector, which is based on a number of x- ray detector sub-modules or wafers, each of which comprises detector elements, wherein the x-ray detector sub-modules are oriented in edge-on geometry with the edge directed towards the x-ray source, assuming the x-rays enter through the edge. Each detector sub-module or wafer has a thickness with two opposite sides of different potentials to enable charge drift towards the side, where the detector elements, also referred to as pixels, are arranged. Basically, the method comprises: determining (S1) an estimate of charge diffusion originating from a Compton interaction or an interaction through photoeffect related to the x-ray photon in a detector sub-module or wafer of the x-ray detector; and estimating (S2) the initial point of interaction along the thickness of the detector sub-module based on the determined estimate of charge diffusion.La présente invention concerne un procédé pour permettre l'estimation d'un point initial d'interaction d'un photon de rayons X dans un détecteur de rayons X à comptage de photons, qui est basé sur un certain nombre de sous-modules ou tranches de détecteur de rayons X, chacun d'eux comprenant des éléments détecteurs, les sous-modules de détecteur de rayons X étant orientés selon une géométrie sur chant avec le bord dirigé vers la source de rayons X, en supposant que les rayons X pénètrent à travers le bord. Chaque sous-module ou tranche de détecteur possède une épaisseur avec deux côtés opposés de potentiels différents pour permettre une dérive de charge vers le côté, où les éléments de détecteur, également appelés pixels, sont disposés. Le procédé comprend essentiellement : la détermination (S1) d'une estimation de diffusion de charge provenant d'une interaction Compton ou d'une interaction par photo-effet associée au photon de rayons X dans un sous-module ou
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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